Características Principales
- Transistor bipolar NPN de alta frecuencia 160 MHz
- Potencia de salida de 40 Watt
- Operación a 13.6 VCC estable
- Diseño compacto y eficiente térmicamente
- Rendimiento confiable en aplicaciones RF avanzadas
Especificaciones Básicas
- Tipo: Transistor bipolar NPN
- Frecuencia: 160 MHz
- Tensión de alimentación: 13.6 VCC
- Configuración: Emisor común
- Aplicación: Comunicaciones VHF
Datos de Impedancia
- ZIN (Ω): 1.0 + j 0.4 (160 MHz)
- ZCL (Ω): 2.3 + j 0.1 (160 MHz)
Nota: PIN = 3.0 W; VCE = 12.5 V
Conexiones
- 1: Colector
- 2: Emisor
- 3: Base
- 4: Emisor
Dimensiones Mecánicas (M113)
- A: 5.59-5.84 mm (0.220-0.230′)
- B: 19.94 mm (0.785′)
- C: 18.29-18.54 mm (0.720-0.730′)
- D: 24.64-24.89 mm (0.970-0.980′)
- E: 9.78 mm (0.385′)
Dimensiones Mecánicas (M113) Cont.
- F: 0.10-0.15 mm (0.004-0.006′)
- G: 2.16-2.67 mm (0.085-0.105′)
- H: 4.06-4.57 mm (0.160-0.180′)
- I: 7.11 mm (0.280′)
- J: 6.10-6.48 mm (0.240-0.255′)
Rendimiento Típico
- Diseño con geometría de emisor amortiguado para soportar condiciones extremas de desadaptación de carga
- Características eléctricas especificadas a 25°C
- Paquete plástico encapsulado con epoxi
- Frecuencia de operación: hasta 160 MHz
- Tensión de colector-emisor: 16 V (máx.)
Aplicaciones
- Sistemas de comunicación VHF
- Amplificadores de potencia RF
- Equipos de radio móvil
- Transmisores de alta frecuencia
- Sistemas de comunicación de alta confiabilidad
Información de Pedido
- Código de pedido: SD1275-01
- Marcaje: SD1275-1
- Paquete: M113
- Embalaje: Bandejas plásticas
Datos Adicionales
- Revisión: 2
- Fecha de revisión: Mayo 2004
- Tipo de transistor: Silicio epitaxial
- Clase de operación: Clase C
Especificaciones Técnicas
- Transistor bipolar NPN de alta frecuencia 160 MHz
- Potencia de salida de 40 Watt
- Operación a 13.6 VCC estable
- Diseño compacto y eficiente térmicamente
- Rendimiento confiable en aplicaciones RF avanzadas
- Impedancia Zin 1.0 + j0.4 a 160 MHz
