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Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 100 Watt, TO-3PA .

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SKU: 2SC-3451
$94.00
Características Principales Voltaje colector-base máximo: 500 V Corriente colector máxima: 15 A Potencia disipación colector: 80 W Encapsulado TO-3PB Temperatura
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Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 80 Watt, TO-3PM .

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SKU: 2SC-3320
$110.00
Características Principales Transistor NPN de silicio para alta potencia Voltaje de colector a base hasta 500 V Corriente máxima de
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Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.

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SKU: RD70HUF2
$1,464.00
Características principales Potencia de salida de hasta 84W típicamente Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz Empaque en cinta
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Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.

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SKU: IRF9Z30
$92.00
Transistor de Potencia MOSFET Tipo: Canal P Voltaje: 50 Volt Corriente: 18 Amp. Rds: 0.14 Ohm Potencia: 74 Watt Paquete:
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Transistor de Potencia NPN de Alto Voltaje en Silicio, 400 Vc-b, 10 A. 80 Watt, TO-247.

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SKU: 2SC-2625
$75.00
Transistor de Potencia NPN de Alto Voltaje en Silicio, 400 Vc-b, 10 A. 80 Watt, TO-247. Modelo: 2SC2625 – Marca:
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Transistor de Potencia para PA61ACRSF (MRF1570N).

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SKU: B2114
$1,291.00
Características Principales Frecuencia de operación: Hasta 470 MHz Potencia de salida: 70 Watts Tensión de alimentación: 12.5 Vdc Ganancia: 11.5
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Transistor de Silicio NPN de Alta Frecuencia, 470 MHz, 12.5 Vcc, 8.0 dB, 0.75 Watt, 79-04.

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SKU: MRF515
$69.00
Transistor de Silicio NPN de Alta Frecuencia, 470 MHz, 12.5 Vcc, 8.0 dB, 0.75 Watt, 79-04. CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES DEL PRODUCTO
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Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E

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SKU: 2SC3133
$1,491.00
Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E Transistor NPN epitaxial de silicio altamente eficiente para
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Transistor de Silicio NPN Epitexial, 30 MHz, 13.5 Vcc, 70 Watt, T-40E.

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SKU: 2SC2097
$755.00
Características Principales Transistor NPN epitaxial de silicio Frecuencia máxima de operación 30 MHz Tensión de colector 13.5 Vcc Potencia máxima
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Transistor de Silicio NPN, 2-30 MHz, 12.5 Vcc, 12.5 Watt, 211-07.

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SKU: MRF433
$275.00
Características Principales Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF Frecuencia de operación entre 2 y 30 MHz Manejo de potencia
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Transistor de Silicio NPN, 30-500 MHz, 28 Vcc, 10 dB, 125 Watt, 744A-01.

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SKU: MRF392
$1,329.00
Características Principales Transistor de silicio NPN de alta frecuencia Rango de frecuencias: 30-500 MHz Tensión de colector-emisor hasta 28 Vcc
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Transistor Diodo SCR de 25 Amper, 20 Watt para Fuentes ASTRON Convencionales RS-12A y RS-20A.

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SKU: MCR-225
$78.00
Transistor Diodo SCR de 25 Amper, 20 Watt para Fuentes ASTRON Convencionales RS-12A y RS-20A. Marca: SYSCOMModelo: MCR225 Características Principales
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