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Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 100 Watt, TO-3PA .

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SKU: 2SC-3451
$94.00
Características Principales Voltaje colector-base máximo: 500 V Corriente colector máxima: 15 A Potencia disipación colector: 80 W Encapsulado TO-3PB Temperatura
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Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.

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SKU: IRF9Z30
$92.00
Transistor de Potencia MOSFET Tipo: Canal P Voltaje: 50 Volt Corriente: 18 Amp. Rds: 0.14 Ohm Potencia: 74 Watt Paquete:
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Transistor de Silicio NPN de Alta Frecuencia, 470 MHz, 12.5 Vcc, 8.0 dB, 0.75 Watt, 79-04.

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SKU: MRF515
$69.00
Transistor de Silicio NPN de Alta Frecuencia, 470 MHz, 12.5 Vcc, 8.0 dB, 0.75 Watt, 79-04. CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES DEL PRODUCTO
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Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E

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SKU: 2SC3133
$1,491.00
Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E Transistor NPN epitaxial de silicio altamente eficiente para
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Transistor de Silicio NPN Epitexial, 30 MHz, 13.5 Vcc, 70 Watt, T-40E.

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SKU: 2SC2097
$752.00
Características Principales Transistor NPN epitaxial de silicio Frecuencia máxima de operación 30 MHz Tensión de colector 13.5 Vcc Potencia máxima
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Transistor de Silicio NPN, 2-30 MHz, 12.5 Vcc, 12.5 Watt, 211-07.

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SKU: MRF433
$275.00
Características Principales Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF Frecuencia de operación entre 2 y 30 MHz Manejo de potencia
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Transistor de Silicio NPN, 30-500 MHz, 28 Vcc, 10 dB, 125 Watt, 744A-01.

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SKU: MRF392
$1,329.00
Características Principales Transistor de silicio NPN de alta frecuencia Rango de frecuencias: 30-500 MHz Tensión de colector-emisor hasta 28 Vcc
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Transistor Diodo SCR de 25 Amper, 20 Watt para Fuentes ASTRON Convencionales RS-12A y RS-20A.

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SKU: MCR-225
$78.00
Transistor Diodo SCR de 25 Amper, 20 Watt para Fuentes ASTRON Convencionales RS-12A y RS-20A. Marca: SYSCOMModelo: MCR225 Características Principales
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Transistor EMP3001.

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SKU: EMP3001
$31.00
Descripción General TRANSISTOR EMP3001 Especificaciones Técnicas Transistor de alta potencia 300W Diseño compacto y eficiente Material de disipación térmica avanzada
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Transistor MOSFET MFE-130 Doble Puerta, Canal N, 105 MHz, TO-18.

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SKU: MFE130
$55.00
Transistor MOSFET MFE-130 Doble Puerta, Canal N, 105 MHz, TO-18. Características Principales Transistor MOSFET de doble puerta para alta eficiencia
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Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB.

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SKU: MRF475
$546.00
Características Principales Transistor NPN de potencia RF de silicio Frecuencia operativa de hasta 30 MHz Tensión de colector-emisor de 13.6
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Transistor NPN de Potencia RF, Silicio en 470 MHz, 6.2 dB, 25 Watt, 316-01.

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SKU: MRF644
$734.00
Características Principales Transistor NPN de potencia RF Frecuencia de operación: 470 MHz Ganancia: 6.2 dB Potencia de salida: 25 Watt
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