Características Principales

• Transistor bipolar NPN de alta frecuencia 160 MHz
• Potencia de salida de 40 Watt
• Operación a 13.6 VCC estable
• Diseño compacto y eficiente térmicamente
• Rendimiento confiable en aplicaciones RF avanzadas

Especificaciones Básicas

• Tipo: Transistor bipolar NPN
• Frecuencia: 160 MHz
• Tensión de alimentación: 13.6 VCC
• Configuración: Emisor común
• Aplicación: Comunicaciones VHF

Datos de Impedancia

• ZIN (Ω): 1.0 + j 0.4 (160 MHz)
• ZCL (Ω): 2.3 + j 0.1 (160 MHz)

Nota: PIN = 3.0 W; VCE = 12.5 V

Conexiones

• 1: Colector
• 2: Emisor
• 3: Base
• 4: Emisor

Dimensiones Mecánicas (M113)

• A: 5.59-5.84 mm (0.220-0.230′)
• B: 19.94 mm (0.785′)
• C: 18.29-18.54 mm (0.720-0.730′)
• D: 24.64-24.89 mm (0.970-0.980′)
• E: 9.78 mm (0.385′)

Dimensiones Mecánicas (M113) Cont.

• F: 0.10-0.15 mm (0.004-0.006′)
• G: 2.16-2.67 mm (0.085-0.105′)
• H: 4.06-4.57 mm (0.160-0.180′)
• I: 7.11 mm (0.280′)
• J: 6.10-6.48 mm (0.240-0.255′)

Rendimiento Típico

• Diseño con geometría de emisor amortiguado para soportar condiciones extremas de desadaptación de carga
• Características eléctricas especificadas a 25°C
• Paquete plástico encapsulado con epoxi
• Frecuencia de operación: hasta 160 MHz
• Tensión de colector-emisor: 16 V (máx.)

Aplicaciones

• Sistemas de comunicación VHF
• Amplificadores de potencia RF
• Equipos de radio móvil
• Transmisores de alta frecuencia
• Sistemas de comunicación de alta confiabilidad

Información de Pedido

• Código de pedido: SD1275-01
• Marcaje: SD1275-1
• Paquete: M113
• Embalaje: Bandejas plásticas

Datos Adicionales

• Revisión: 2
• Fecha de revisión: Mayo 2004
• Tipo de transistor: Silicio epitaxial
• Clase de operación: Clase C