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Transistor de Potencia NPN de Alto Voltaje en Silicio, 400 Vc-b, 10 A. 80 Watt, TO-247.

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SKU: 2SC-2625
$75.00
Transistor de Potencia NPN de Alto Voltaje en Silicio, 400 Vc-b, 10 A. 80 Watt, TO-247. Modelo: 2SC2625 – Marca:
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Transistor de Potencia para PA61ACRSF (MRF1570N).

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SKU: B2114
$1,294.00
Características Principales Frecuencia de operación: Hasta 470 MHz Potencia de salida: 70 Watts Tensión de alimentación: 12.5 Vdc Ganancia: 11.5
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Transistor de Silicio NPN de 50V, 30A, 150 Watt, TO-3 para Fuentes Convencionales RS-12A y RS-20A.

SKU: 2N3771A
$162.00
Transistor de Silicio NPN de 50V, 30A, 150 Watt, TO-3 para Fuentes Convencionales RS-12A y RS-20A. Fuentes ASTRON Desde 1976,
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Transistor de Silicio NPN de Alta Frecuencia, 470 MHz, 12.5 Vcc, 8.0 dB, 0.75 Watt, 79-04.

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SKU: MRF515
$69.00
Transistor de Silicio NPN de Alta Frecuencia, 470 MHz, 12.5 Vcc, 8.0 dB, 0.75 Watt, 79-04. CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES DEL PRODUCTO
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Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E

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SKU: 2SC3133
$1,510.00
Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E Transistor NPN epitaxial de silicio altamente eficiente para
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Transistor de Silicio NPN Epitexial, 30 MHz, 13.5 Vcc, 70 Watt, T-40E.

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SKU: 2SC2097
$757.00
Características Principales Transistor NPN epitaxial de silicio Frecuencia máxima de operación 30 MHz Tensión de colector 13.5 Vcc Potencia máxima
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Transistor de Silicio NPN, 2-30 MHz, 12.5 Vcc, 12.5 Watt, 211-07.

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SKU: MRF433
$277.00
Características Principales Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF Frecuencia de operación entre 2 y 30 MHz Manejo de potencia
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Transistor de Silicio NPN, 30-500 MHz, 28 Vcc, 10 dB, 125 Watt, 744A-01.

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SKU: MRF392
$1,345.00
Características Principales Transistor de silicio NPN de alta frecuencia Rango de frecuencias: 30-500 MHz Tensión de colector-emisor hasta 28 Vcc
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Transistor Diodo SCR de 25 Amper, 20 Watt para Fuentes ASTRON Convencionales RS-12A y RS-20A.

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SKU: MCR-225
$78.00
Transistor Diodo SCR de 25 Amper, 20 Watt para Fuentes ASTRON Convencionales RS-12A y RS-20A. Marca: SYSCOMModelo: MCR225 Características Principales
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Transistor EMP3001.

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SKU: EMP3001
$32.00
Descripción General TRANSISTOR EMP3001 Especificaciones Técnicas Transistor de alta potencia 300W Diseño compacto y eficiente Material de disipación térmica avanzada
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Transistor MOSFET MFE-130 Doble Puerta, Canal N, 105 MHz, TO-18.

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SKU: MFE130
$55.00
Transistor MOSFET MFE-130 Doble Puerta, Canal N, 105 MHz, TO-18. Características Principales Transistor MOSFET de doble puerta para alta eficiencia
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Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB.

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SKU: MRF475
$552.00
Características Principales Transistor NPN de potencia RF de silicio Frecuencia operativa de hasta 30 MHz Tensión de colector-emisor de 13.6
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